晶圆测试是对晶片上的每个晶粒进行针测，在检测头装上以金线制成细如毛发之探针（probe），与晶粒上的接点（pad）接触，测试其电气特性，不合格的晶粒会被标上记号，而后当晶片依晶粒为单位切割成独立的晶粒时，标有记号的不合格晶粒会被洮汰，不再进行下一个制程，以免徒增制造成本。

晶圆测试过程：

①单晶硅棒经标准制程制作的晶圆，在芯片之间的划片道上会有预设的测试结构图，在首层金属刻蚀完成后，对测试结构图进行晶圆可靠性参数测试（WAT）来监控晶圆制作工艺是否稳定，对不合格的芯片进行墨点标记，得到芯片和微电子测试结构的统计量；

②晶圆制作完成后，针对制作工艺合格的晶圆再进行 CP 测试（Circuit Probing），通过完成晶圆上芯片的电参数测试，反馈芯片设计环节的信息。完成晶圆测试后，合格产品才会进入切片和封装步骤。

晶圆测试过程中的拉弧现象：

拉弧现象一般是因为，两个被测电极距离太小，在电流电压值比较大的情况下，电流击穿空气，引起两个点针之间电流相通从而出现拉弧现象。

解决办法一般是以下几种：

1、增加电极距离，但电极一般在设计阶段已经确定好了，所以……

2、在被测试电极处喷射干燥氮气，能有效防止空气导电造成的拉弧

3、在真空环境中进行测试

晶圆测试的对象是未划片的整个晶圆，属于在前端工序中对半成品的测试，目的是监控前道工艺良率，并降低后道封装成本。